几个好的FET功率放大器电路图
FET多管并行输出，500W W。
场管和一般电源最大的区别就是场管是电压驱动的，在驱动级别上有些不同。没有场管功放，音质取决于你的设计和技术！
也有一些缺点，比如它的输入电容是2020pF。和常见的MOS管一样，在驱动它的时候，需要采用特殊的电路来驱动。就像你电路中R29和D3的并联电路，也是业内通行的做法。它的功能是：
没有R29的时候，Q7的栅极直接接在前面的IC引脚上，内部全是图腾柱电路。因为是容性负载，所以会有振荡，会引起驱动波形的振铃，导致MOS管开启不充分，内阻大，效率低。串联R29可以消除这种振荡，它与MOS管后续输入电容(Ciss)之间的时间常数比MOS管的导通时间短了13ns，而4.7的2020pF的时间常数为9.5nS，满足要求。
IRFB33N15D用标准电路驱动时(相当于R29为3.6)，其恢复时间长达130nS，这也是MOS管的通病。为了加快关断速度(对于这个9.5nS的时间)，关断时，栅极电阻预计为0，所以肖特基二极管D3(其工作频率可以接近GHz)会反并联到R29，以加快放电速度。
IRFB33N15D的VGS在实际行驶中在3.0V-5.5V之间，根据IRS2902S的工作电压不同，都在10V左右。肖特基二极管D3正向压降只有1.2V左右(电流1A，但其 v/ I约为0，动态内阻极低)，已经可以保证Q7和gate在VGS以下，对关断没有影响。另外，你要学习动态内阻的含义。就像一个电源，它的压降可能是5V，但它的内阻可以低至十毫欧。
这个电路中的两个场效应晶体管不能同时导通，所以在工作的时候要先关断，稍微慢一点再导通。当驱动电压下降时，D3和D4二极管可以快速释放FET的栅极结电压，从而大大缩短晶体管从导通状态恢复到截止状态的时间。当驱动电压上升时，需要通过R29和R27对灯管的栅极结电容充电，从而延迟灯管的导通时间。这样就实现了先关后开，稍微慢一点再开的功能，大大防止了一个管道还没开另一个管道就开了。
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