gst是什么 Gst是wifi吗1. 利用Ge2Sb2Te5 (GST)的半导体特性来实现皮秒时间级的动态太赫兹控制；2. 将GST相变材料与Fano共振超材料集成在柔性聚酰亚胺衬底上，实现了光学控制Fano共振态；3. GST集成的柔性超
1. 利用Ge2Sb2Te5 (GST)的半导体特性来实现皮秒时间级的动态太赫兹控制；
2. 将GST相变材料与Fano共振超材料集成在柔性聚酰亚胺衬底上，实现了光学控制Fano共振态；
3. GST集成的柔性超材料在各种非易失性状态下的超快谐振转换为可穿戴设备和智能光子传感器等应用中实现下一代高速无线链路提供了可能。
移动和可穿戴技术的发展对更高数据传输速率的需求不断增长，特别是在无线通信链路中。这给射频频谱本已拥挤的各种无线通信系统带来了巨大的压力。为了满足这些需求，将载波频率扩展至太赫兹波段是必不可少的。然而，缺乏有效的太赫兹设备和技术，严重阻碍了太赫兹无线通信链路的开发。近些年，太赫兹波有望实现高速率数据传输，达到每秒太比特(Tbps)，这激发了电子和光子学领域研究人员的兴趣及工作以弥补太赫兹技术的差距。近些年关于太赫兹高速无线通信的研究骤增，但是由于太赫兹波与天然材料之间的相互作用极小，这极大阻碍了高效太赫兹设备的发展。
近年来，相变材料、集成化超材料对多功能超材料器件的发展起到了重要的推动作用。相变材料在其不同的晶体学相中具有明显不同的性质，可以通过不同的热、电和光刺激重新配置。目前关于相变材料集成太赫兹超材料器件的报道仅限于刚性基板，将其转化为柔性基板将扩大其应用范围，特别是在移动和可穿戴设备中。二氧化钒是刚性衬底上多功能元器件相变材料的普遍选择，但由于需要高温处理、晶格匹配衬底和较高的态保持温度，阻碍了其向柔性衬底的转化。
近日，新加坡南洋理工大学Ranjan Singh等人以题为“Volatile Ultrafast Switching at Multilevel Nonvolatile States of Phase Change Material for Active Flexible Terahertz Metadevices”在《Advanced Functional Materials》上报道了一种在聚酰亚胺衬底上制作的GST集成Fano共振超材料器件。利用聚酰亚胺衬底的柔韧特性通过沿特定弯曲轴改变器件的曲率，实现了Fano共振调制。此外，GST的集成允许通过光刺激远程控制Fano共振。基于光刺激功率，实现了Fano谐振的非易失性转换和易失性转换。当光功率高于阈值功率(阈上刺激)时，光热效应导致GST薄膜发生相变，并伴随着电导率的相应提高，这反过来又导致了Fano共振调制，这种调制本质上是非易失性的，预期保留时间为数年。通过控制光刺激功率和时间，实现了多能级非易失态。当光刺激功率小于阈值功率(亚阈值刺激)时，通过GST半导体薄膜的光掺杂实现易失性转换，易失性转换发生在皮秒时间尺度，实现了超快太赫兹共振调制。因此，将相变材料与柔性衬底上的谐振超材料相结合，实现了时间响应广泛变化的Fano谐振调制的并行控制。GST集成柔性太赫兹超材料在各种非易失态下的超快共振转换为可穿戴设备和智能光子传感器等应用中实现下一代高速无线链路提供了可能。
图文展示1：柔性GST集成Fano谐振太赫兹超材料器件及其调制。
a） 柔性GST集成Fano谐振太赫兹超材料器件的光学图像，该超器件制造在聚酰亚胺衬底上，并装配在具有中心孔的PET手柄衬底上，以便于曲率相关测量。b）所制造超材料器件的光学显微镜放大图像。c）超材料器件单元的几何参数光学显微镜图像：方形周期性p=75μm，长度l=60μm，宽度w=6μm，间隙g=3μm，不对称性d=15μm。d）测量了沿e）x轴和f）y轴曲率增加的超材料器件的Fano共振调制。
图文展示2：拉曼光谱测试及不同光功率条件下的Fano共振调制。
a） 光控GST集成Fano谐振超材料器件的示意图。b） 超材料器件的显微拉曼光谱：沉积态（深蓝色曲线）、0.4w泵浦10min后（绿色曲线）和1.8w泵浦10min后（橙色曲线）。c） 计算了不同光功率泵浦10min后超材料器件的Fano共振调制。d）在非易失性条件下，计算了不同刺激时间下0.9w泵浦后的Fano共振调制。
图文展示3：不同状态下太赫兹传输的变化量ΔT/T。
a）在可变基非易失性状态下应用于亚阈值光刺激的超材料器件易失性Fano共振调制，以及功率输入序列。b） 测量了GST薄膜在三种非易失状态（NVS1、NVS2和NVS3）下的|ΔT/T |，激励功率为0.4 W。c）测量了沉积态GST薄膜在不同曲率下的|ΔT/T |，激励功率为0.4 W。
文章信息：
Pitchappa P , Kumar A , Prakash S , et al. Volatile Ultrafast Switching at Multilevel Nonvolatile States of Phase Change Material for Active Flexible Terahertz Metadevices[J]. Advanced Functional Materials, 2021:2100200. https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202100200
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