50Hz交流电压经全波整流后转换成脉动的DC电压u1，然后通过输入滤波电容得到DC高压U1。理想情况下，整流桥的导通角应为180(导通范围为0 ~ 180)。然而，由于滤波电容器C的作用，输入电流仅在接近峰值交流电压的短时间内流过整流桥给C充电。50Hz交流电的半周为10ms，整流桥的导通时间为tC3ms，其导通角仅为54(导通范围为36 ~ 90)。因此，整流桥实际上通过的是窄脉冲电流。桥式整流滤波电路原理如图1(a)所示，整流滤波电压和整流电流波形分别如图1(b)和(c)所示。总结最后几点：(1)整流桥的上述特性可以等效为30%左右的输入电压频率所对应的占空比。(2)整流二极管的导通过程可以看作是一个门控脉冲，其脉冲重复频率等于交流电网的频率(50Hz)。
(3)为了降低开关电源中500kHz以下的传导噪声，有时用两个普通硅整流器(如1N4007)和两个快恢复二极管(如FR106)组成整流桥，FRl06的反向恢复时间TRR250 ns。
2)整流桥的参数选择
隔离开关电源一般采用整流管组成的整流桥，或者直接用成品整流桥完成桥式整流。全波整流器简称硅整流桥。它是一种半导体器件，将四个硅整流器连接成桥式，用塑料封装。它具有体积小、使用方便、所有整流管参数一致性好等优点。可广泛应用于开关电源的整流电路中。硅整流桥有四个端子，包括两个交流输入端子和两个DC输出端子。
硅整流桥最大整流电流平均值为0.5~40A，最大反向工作电压为50 ~ 1000 V，小功率硅整流桥可直接焊接在印制板上，大功率和中功率硅整流桥要用螺钉固定，并安装合适的散热器。
整流桥的主要参数是反向峰值电压URM(V)、正向压降UF(V)、平均整流电流Id(A)、正向峰值浪涌电流IFSM(A)和最大反向漏电流IR().整流桥的反向击穿电压URR应满足以下要求：
例如，当交流输入电压范围为85 ~ 132 V时，由公式(1)可以计算出umax=132V，UBR=233.3V，可以选择耐压为400V的成品整流桥。对于宽范围的输入交流电压，Umax=265V，出于同样的原因，UBR=468.4V。应选择电压为600V的成品整流桥。指出如果用四只硅整流管构成整流桥，整流管的耐压值应进一步提高。比如可以选择1N4007(1A/1000V)和1N5408(3A/1000V)塑封整流管。这是因为这种管子的价格低，而且根据高比低好，可以提高整流桥的安全性和可靠性。
设输入均方根电流为IRMS，整流桥额定均方根电流为IBR，则input RMS。计算IRMS的公式如下：
其中PO为开关电源的输出功率，为电源效率，umin为交流输入电压的最小值，cos为开关电源的功率因数，允许cos =0.5 ~ 0.7。由于整流桥实际上通过的是窄脉冲电流而不是正弦波电流(见图1)，所以以整流桥的平均整流电流Id为例，设计为7.5V/2A(15W)开关电源，交流输入电压范围为85 ~ 265V，要求=80%。将Po=15W，=80%，umin=85V，cos=0.7代入公式(2)得到IRMS=0.32A，然后计算ID=0.65 IRMS=0.21a，实际选用lA/600V的整流桥，允许有一定的余量。
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