本文目录
- DDR4内存与DDR3内存区别在哪儿
- 内存超频后功耗大概增加多少
- 内存功耗大概是多少呢
- 内存条DDR3和DDR4的区别，还有1333和1600的区别
- Z690有同时支持DDR4和DDR5的吗，先用DDR4，过几年上DDR5那种
- 笔记本电脑的内存条功率大约有多大
- 内存条DDR4影驰极光RGB2400是多少瓦的那一西部数据7200转蓝盘呢
- ddr3和ddr4的区别
- 3400g加B550和16G DDR4 nvme256功耗多少
- 内存条DDR3和DDR4区别是什么
DDR4内存与DDR3内存区别在哪儿
DDR4内存与DDR3内存有什么区别呢?下面是我为大家介绍区别DDR4内存与DDR3内存的方法,欢迎大家阅读。
如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢?
DDR4内存与DDR3内存区别在哪里
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。
频率和带宽提升巨大
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
容量剧增 最高可达128GB
3DS(3-Dimensional Stack，三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。
3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低电压
更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似)、DBI(Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作)等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。
人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。
支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光
威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压1.2，产品编号AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。
不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。
这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。
2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工
威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。
美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。
新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。
目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。
美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。
窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存
DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM内存的标准高度为31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.35毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。
Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压1.2V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。
Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。
DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒
这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默?韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。
和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。
内存超频后功耗大概增加多少
内存条超频一般并不会增加非常多的功耗。DDR3内存单条功耗3-5W，DDR4内存单条2-5W （TDP），超频后就算功耗翻倍了，也就10W不到，而支持对内存超频的平台的主板一般都是能满足这样的供电要求的，如果做工很差的主板也无法去超频内存。
内存功耗大概是多少呢
内存耗电也不大，概在5瓦至10瓦。内存功耗遵循能耗关系公式：P=CV^2f，P代表能耗。C可以简单看作一个常数，它由制程等因素决定；V代表电压；而f就是频率了。
说内存功耗越来越低很不严谨。内存的电压一路走来，是越来越低；但后端部分的频率却在逐步上升中；同时，代表制程的C常数在减小；整体功耗很难说在降低。一般的说法是能耗效率（power efficiency）在逐步提高，也就是每带宽功耗在降低。
内存功耗测量：
内存功耗测量十分麻烦，内存条早已不是一个电压一个频率的傻跑了。和CPU类似，内存也会在利用率高的时候提高电压，提高频率；利用率低的时候，降低电压，降低频率；不用的时候，CKE关掉，类似于CPU的CState。如此内存功耗是个动态变化的过程，随时会变化。
为了提供内存功耗的详细数据，Intel CPU的内存控制器会定时采样内存条的VR，以了解当时的瞬时电流，在一段时间后估算平均功耗。这个数据BIOS和BMC等都可以得到。
内存条DDR3和DDR4的区别，还有1333和1600的区别
一、内存条中DDR3和DDR4的区别的区别如下：
1、功耗不同
DDR4是当前市场上最新一代的内存，而DDR3是老一代的内存，在用电功耗上，DDR4功耗比较低，而老款的DDR3功耗就比较高了。
2、兼容能力不同
主板上面的内存插槽都是向下兼容，也就是最新的主板不仅可以兼容DDR4，也可以兼容DDR3，而一些以前的主板，只能兼容DDR3，不能兼容DDR4。
3、最高频率不同
DDR3作为上一代的内存，它能支持的最高频率只到2800，而DDR4的最高频率可以达到4200。
二、1333和1600指的是内存条的频率，他们唯一的区别就是频率不同。
Z690有同时支持DDR4和DDR5的吗，先用DDR4，过几年上DDR5那种
目前来说，z690只支持ddr5内存，还没有支持ddr4内存的型号。
而且，从这款主板的规格状态来看，也不可能有支持ddr4内存的z690主板了。……因此，你想先用ddr4，过几年再升级到ddr5的想法就无法实现了。
之所以说不可能有支持ddr4内存的z690主板出现，是因为以下原因：
在很久以前，主板支持什么规格的内存，是主板芯片组的北桥芯片说了算的……
在主板的北桥芯片当中，有内存控制器，它决定着主板支持什么规格的内存。
在那时候，理论上，如果厂家愿意，是可以选择支持不同规格的内存的。
但是在现在，这种情况不存在了。
这是因为，现在的内存控制器都是集成在cpu内部的，是无法改变的……
而z690主板支持的12代cpu的内存控制器支持的就是ddr5内存，这是无法改变的，于是，你想让这个系统支持ddr4，就是不可能的事情了。
因此，你如果想选择z690主板，那就只能选择ddr5内存……同时你还只能选择12代处理器……因为z690主板支持的cpu接口是lga1700，与前代cpu不兼容，想选前代cpu也装不上……于是你只能选择最新款的配件了。
笔记本电脑的内存条功率大约有多大
笔记本ddr4 2400mhz的8G内存待机应该在0.2W到0.3W左右，最高功耗应该在0.8W以下。我的笔记本双条16G待机1.2w，最高3.3W这样，单条就减半。另外一部燃7000二代也是ddr4 2400mhz 8G，待机就是0.2W。希望对你有帮助。
内存条DDR4影驰极光RGB2400是多少瓦的那一西部数据7200转蓝盘呢
内存条的电压，电流都不高。单条内存的功率是非常低的，2400下的功率，也只有仅仅3W不到。但是高频率内存会导致功率增加。但总的也不会很高。一块7200RPM硬盘的功率大约只有15W，最最大20W。但是硬盘刚刚启动时的瞬间电流是很大的，因为电机要立刻加速至7200转。
ddr3和ddr4的区别
1、外观：DDR4内存金手指触点达到了284个，每一个触点间距只有0.85mm(DDR3内存金手指触点是240个，间距1mm)。因为这一改变，DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出，边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置也不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。2、内存频率：频率方面，DDR3内存最高频率只能达到了2133。DDR4内存的起始频率就已经达到了2133，产品的最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。3、内存容量：DDR4内存容量提升明显，可达128GB，上一代DDR3内存，最大单条容量为64GB，实际市面上能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。4、功耗：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低，上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。5、主板兼容：能兼容DDR4的只有Intel六代CPU对应的100系列主板和AMD新出的支持AM4接口的主板。而DDR3则几乎支持市面上能够买来的所有主板。
3400g加B550和16G DDR4 nvme256功耗多少
R5 3400G 的功耗是65W，算上核显最多也就是95W的功耗，而内存和固态耗电量并不大，单条内存不会超过15W，固态同样。如果没有独立显卡的话，那么算上主板、散热风扇等其余设备的总功耗也不会超过160W，所以这种家用影音配置的电脑只需要最低的230W额定电源即可稳定运行。
内存条DDR3和DDR4区别是什么
DDR3和DDR4的区别：
1、外观：DDR4内存金手指触点达到了284个，每一个触点间距只有0.85mm(DDR3内存金手指触点是240个，间距1mm)。因为这一改变，DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出，边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。
DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置也不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2、内存频率：频率方面，DDR3内存最高频率只能达到了2133。DDR4内存的起始频率就已经达到了2133，产品的最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
3、内存容量：DDR4内存容量提升明显，可达128GB，上一代DDR3内存，最大单条容量为64GB，实际市面上能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。
4、功耗：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低，上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
5、主板兼容：能兼容DDR4的只有Intel六代CPU对应的100系列主板和AMD新出的支持AM4接口的主板。而DDR3则几乎支持市面上能够买来的所有主板。