一、单片机与电机驱动模块共地时，光耦是不是不起作用了？

最好不要共地。

光耦主要是起电气隔离的作用，但在共地电路中还可以起到另一种作用就是可以解决光耦两侧的电平转换，比如5V系统对3.3V系统，或者反过来。但光耦的用途是用于电气隔离，若使用了光耦，又共地了，那光耦就失去意义了，电平转换完全可以使用其他方法。

电机驱动电路，电机的启动对单片机的影响十分严重，建议不共地，单片机发送出启动命令后进入休眠状态一段时间，或者 nop指令，避开电压不稳定的阶段，在开始工作。

二、关于使用P521光耦的问题，请教各位

1、图中水平放置的电阻，必须能够给出使三极管饱和的基极电流。继电器电流，从首帖数据估计，24V电压时大约120mA，三极管最小电流放大倍数估计为50，那么基极电流需要2.4mA，故水平放置电阻不能大于10k欧。用4.7k也可以，此处没有什么速度要求，饱和深一些也无妨。2、竖直放置的电阻，可以在2.2k～4.7k之间。3、光耦一次侧仍需要串联限流电阻。

三、光耦TLP521

1、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20mA。输入电压减去二极管压降再除以20mA就是R1的阻值。

2、R2是个纯粹的上拉电阻，只要和输出端的设备匹配并不会使光耦输出三极管电流过大即可，一般1K-100K都可以，具体选多少，要看另一段的设备需要多少电流。

CTR是啥？我用了这么多年光耦没听说过，只听说过TCRT.

只要你的光耦自身速度够，不用考虑。

四、关于光耦TLP521的问题

光耦中，传递系数是比较确定的，其他都与环境参数有关。

例如，你说的VF，它是发射端LED在特定IF下的压降。如果你需要知道它的确切值（一般估算即可），必须先在设计中明确它的工作电流IF，然后在这个电流下测量它的VF。

至于输出端的上拉电阻，跟Vceo关系很小，主要是考虑你后级的放大器 输入阻抗如何。如果阻抗很高，这个上拉电阻的取值范围就很宽，保证光耦的光敏三极管工作电流超过1mA即可。如果它比较低，这个上拉电阻的取值就应该接近输入阻抗的数值，以保证输入端得到匹配。

光敏三极管一般会工作在饱和导通和截止两种状态。如果你的上拉电阻取值过小，首先可能使Vceo过高，光敏三极管无法进入饱和；如果输入光（光敏三极管接收到的来自LED的光）够强，还可能会烧毁光敏三极管。

五、P521光耦电阻的特性是什么

1、P521是光电耦合器，不是光耦电阻。

2、其主要作用和特性就是用光电耦合原理在输入与输出之间建立电气隔离。

3、其输入是一个发光二极管，因此，输入具有单向导通性。

4、输出是一个集电极开路的光电三极管，因此，输出一般需要接上拉电阻或直接驱动负载（负载接在电源与集电极之间）

5、相对于6N137，P521的响应速度较慢。

六、我这边有一个驱动继电器的原理图，能帮我看一下这个原理图有问题吗？

1、电路能用。

2、建议R2、R3阻值对换。

因为按图给数据光耦输入侧电流约10mA，TLP521典型的CTR为60%，即输出端可提供6mA的电流。而光耦饱和导通时Q1基极电流是二十多毫安，所以光耦不会饱和导通而承担较大的功耗，对器件长期运行不利。

按你上问中继电器电阻为1K，设Q1放大倍数为50，只需0.5mA以上的基极电流，把R2、R3阻值对换后的基极电流约为2mA，足以让Q1饱和。减小R3也有利于消除光耦漏电流的影响。