场效应晶体管放大电路图(一)图3-26所示为超小型无线电电路，采用两个晶体管，灵敏度高。
图3-26场效应管在袖珍无线电电路中的应用
在该电路中，电池作为DC电源，通过负载电阻R1为场效应晶体管的漏极提供偏置电压，使其工作在放大状态。天空中的各种信号由外部天线接收，交流信号通过C1进入LC谐振电路。LC谐振电路由磁棒线圈和电容器组成。经过选频后，谐振电路通过C4耦合到FET VT的栅极，叠加栅极的负偏置，加到FET的栅极，使FET的漏极电流ID相应变化，在负载电阻R1上产生压降，经C5隔离后输出，在输出端得到放大的信号电压。放大后的信号送到三极管的基极，三极管放大后输出相对纯净的音频信号给耳机。
图3-27所示为调频收音机的调谐电路，由高频放大器VT1、、混频器VT3和本振VT2组成。天线感应的FM调频广播信号通过输入变压器L1加到VT1晶体管的栅极。VT1是高频放大器的主要器件，它将FM高频信号放大，通过变压器L2加到混频电路VT3的栅极。VT2和LC谐振电路组成本振，振荡信号从振荡变压器的次级送到混频电路VT3的源。混频器VT3由漏极输出，10.7MHz中频信号通过中频变压器IFT(L4)输出。
图3-27FM收音机电路(调谐器部分)
场效应晶体管的放大电路图(二)和双极晶体管一样，场效应AM29LV017D-70EC晶体管有三种基本连接：共源共漏共栅连接，其中共源相当于共发射极连接；共漏相当于共集电极连接；共栅相当于共基极连接。
共源极电路，如图4-19(a)所示，相当于双极晶体管的共发射极电路。当交流信号Ui通过C施加到栅源时，栅极偏置电压随信号变化，因此ID的变化受到控制，RL上产生压降，放大后的信号电压通过C2输出。
如果使用Rc；表示场效应晶体管的栅偏电阻，r表示场效应晶体管的栅源电阻，所以共源电路的输入电阻为r，=RC//RCS RC(由于RCS)。
如果用rDS表示场效应晶体管的漏源电阻，用RL表示共源电路的负载电阻，则共源电路的输出电阻r。=rds//rl ~ rl(由于RDS》RL)。
共源电路的电压放大系数：k -gmRL，其中gm为场效应晶体管的跨导，相当于晶体管的放大系数端口，RL为负载电阻。
共源电路因其输入电阻高、电压增益大而得到广泛应用，但截止频率低，在高频工作时受到限制。
如图4-19(b)所示，共漏电路类似于晶体管共集电极电路。和共源电路一样，它的输入电阻也依赖于外部偏置电阻，即r，=RiR2，电压放大系数K1，输入输出电压同相，所以也叫骄傲源跟随器。由于其高输入电阻、低输出电阻和良好的电压跟随特性，该电路常被用作缓冲放大器，起到隔离和阻抗变换的作用。
如图4-19(c)所示，共栅极电路类似于晶体管共基极电路。其输入电阻极低(ri l/GM)，输出电阻相对较高。R .具有良好的电压放大特性，所以常用于高频电压放大。
场效应管放大电路图(三)场效应管50W音频功率放大电路
场效应晶体管放大电路图(四)以场效应晶体管为基本元件的放大器电路结构场效应晶体管单管甲类前置放大器见图1。测量的源电位
在VDs=10V和VGS=0V时，2SK30AMT的最小跨导GM为1.2ms。那么这个级放大器的放大倍数就是6.72。
音量调节是通过高级开关和11个固定电阻进行的，每个电阻10k。这样做的好处是经济实惠，质量好。音量调节其实10级，听音效果非常理想。
第二级放大电路作为源输出，目的是匹配电路，提高前一级的负载能力。放大系数约为1。静态工作点还是很重要的。Tf2的实测源极电位为5.5V，接近电源电压的中值，非常不错。现阶段还可以算出2.75mA的漏电流，也符合甲类放大器的静态要求。
DC隔直电容C17和C18对音质影响很大，所以选用进口名牌WIMA电容。
后一种放大电路仍然采用推挽放大器和甲乙类放大器。
应该测试对称放大器电路中使用的元件的静态特性。功率放大器电路如图2所示。
以Tm1和Tm3为例，检测参数主要是IDDS，即VGS=0时的漏极电流。当VGS=0时，测量IDDS，其值接近。类似地，Tm2和Tm4几乎与Tm1或Tm3的静态值相同或接近。只有这四个场效应晶体管的静态值大致相同，才有可能做出高质量的放大器。量产的放大器价格昂贵，而正是这些电路中使用的元器件难以匹配造成制造成本高，制约了这项技术的推广应用。
FET放大电路图(五)对应三极管的共发射极、共集电极、共基极放大电路，FET放大电路也有三种基本配置：共源极、共漏极、共栅极。下面以JFET组成的共源放大电路为例，介绍FET放大电路的工作原理。
1.自偏置电路自偏置电路如图3-10所示。在图中，FET的栅极通过栅极电阻器RG接地，源极通过源极电阻器RS接地。这种偏置方法利用了栅源电压uGS=0时JFET(或耗尽型MOS晶体管)的漏极电流iD0的特性，通过源电阻RS上漏极电流的DC压降在栅极和源极之间提供反向偏置电压。也就是说，在静态下，源极电位uS=iDRS，因为栅极电流为0，RG上没有压降，栅极电位uG=0，所以栅极和源极之间的偏置电压为
uGS=uG-uS=-iDRS
应当注意，自偏置模式不能用于由增强型MOS晶体管构成的放大器电路中。因为增强型MOS晶体管
只有uGS到了UT才会产生iD。
对于图3-10中电路的静态工作点，可以使用公式(3-1)和公式(3-3)求解联立方程，即
ID=IDSS(1-UGS/UP)2(3-4)UGS=-IDRS(3-5)
获得身份证和UGS后，有
UDS=VDD身份证(RD RS)(3-6)
例3-1的电路如图3-10所示。假设IDSS=0.5mA，UP=-1V，尝试确定电路的静态工作点。
解决方案：根据上述分析，公式如下
ID=0.5(1 UGS)2
UGS=-2ID
将UGS表达式代入ID表达式，得到
ID=0.5(1-2ID)2
解方程
ID=(0.750.56)毫安
且IDSS=0.5mA，ID不应大于IDSS，所以
IDQ=0.19毫安
UGSQ=0.38V伏
UDSQ=11.9
2.分压自偏置电路虽然自偏置电路比较简单，但是在确定静态工作点的时候，uGS和iD都是确定的，所以RS选择的范围很小。分压自偏置电路是在图3-10电路的基础上增加一个分压电阻形成的，如图3-11所示。漏极电源VDD经分压电阻RG1、RG2分压后，通过RG3提供栅极电压，uG=rg 2 vdd/(RG1 RG2)；同时，漏极电流也会在源极电阻RS上产生压降，uS=iDRS。因此，静态时施加于JFET的栅源电压为
uGS=uG-u=vdd RG2/(RG1 RG2)-iDRS(3-7)
联立方程也可以根据方程(3-1)和(3-7)求解，即
ID=IDSS(1-UGS/上)2
UGS=VDDRG2/(RG1 RG2)-IDRS
从而找出ID和UGS，并找出
UDS=VDD ID(RD RS)
获得了电路的静态工作点。
FET放大器电路的动态分析图3-10自偏置电路可以表示为
等式(3-8)表明，JFET共源放大器电路的电压放大系数Au与跨导gm成正比，输出电压与输入电压相反。
2.输入电阻Ri和输出电阻Ro
从图3-12可以看出
RiRG(3-9)
RoRD(3-10)
可以看出，共源放大器电路的输入电阻Ri主要由偏置电阻RG决定，而输出电阻Ro由漏极电阻RD决定。
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