本文目录
- 羽毛球鞋什么牌子好’
- p9200功夫是几代
- iPhone1代和2代的差别
- 四季沐歌空气能10P二代机和一代机蒸发器有哪些区别
- PSP一代和二代，三代有什么区别
- j6p一代和二代的区别
- 一代和二代的区分问题
- 如何区分第一代和第二代酷睿i3 i5 i7处理器
- A362一代和二代差别
羽毛球鞋什么牌子好’
羽毛球鞋牌子有：SHB-65Z新色、A3MEX、CFZMEX、P8510、P9200BA
1、【YONEX】SHB-65Z新色
65Z的后跟搭载了像“玉米粒”一样的POWER CUSHION+动力垫技术，让球鞋的缓冲性、减震性有了新的提高，鞋面使用支撑性不错的超纤PU革，同时也提升了耐用度。实战表现中65Z的包裹感很丰满，脚各方位都包裹的很到位，如果脚宽怕挤的话可以选偏大1码。
2、A3MEX
A3MEX是YONEX第三代超轻型羽毛球鞋，A3MEX的鞋面由合成薄膜＋轻量织物制成，两者都是很轻的材料，再采用合成革拼接支撑网面设计，让该鞋拥有超轻的重量和良好的透气性。
A3MEX在鞋头内侧加上了一块厚重十足的耐磨橡胶，既保护足尖又增加鞋面的耐磨度，一定程度上改善了一代和二代耐用性较差的问题。
3、CFZMEX
CF这个系列的全称是“Comfort”意为舒适，是YONEX在2017年为争夺羽毛球鞋高端市场而推出的一个主打高缓冲性能的新系列。
CFZ鞋面材质主要是合成革和轻量织物，鞋身多处采用透气网孔设计，与它的前代CFT相对比，CFZ的穿着感更轻量，透气性也明显提升。鞋舌和鞋面统一采用螺旋式结合，减少了重叠部分产生的压迫感，达到自然包裹。
4、P8510
P8510是VICTOR经典款式8500系列的升级版，作为2018年VICTOR倾力打造的重磅战靴，P8510最大的特点就是兼顾了稳定性和舒适性。P8510取消了之前8500系列颇有噱头的“鹰爪”设计，消除鞋面外侧的异物感，取而代之的是从足弓向前延伸的射出片。
5、P9200BA
P9200是VICTOR羽球鞋中知名度和口碑比较好的一个系列之一，由于它的脚感舒适而且稳定，所以P9200自2016年面世后陆陆续续推出了10余种配色。2018年VICTOR为当今羽坛女单一姐戴资颖所穿的P9200专门定制了一款新配色——P9200BA。
选购建议：
一双适合自己的羽毛球鞋，穿上的脚感应该是：
两侧略紧，脚尖松，后跟硬，弹性佳，侧面支撑稳定明显，中底抗扭设计，大底避震防滑，舒适的缓震鞋垫，轻便透气。
p9200功夫是几代
一代。P9200II是第二代。鞋底花纹方面，二代和一代有着很高的相似度，都采用了多向切割沟槽，根据羽毛球运动时反复急停、启动的步伐特点而设计，能更好的提升球鞋的弯曲性，同时使用全方位底花能够兼具止滑、耐磨与轻量。鞋垫的整体还是比较厚实的，前掌部分是VICTOR经典的水波防滑结构，分布有排汗的透气孔，以及人体工学设计。
iPhone1代和2代的差别
iphone 一代是银色外壳+黑色地壳 。iphone 一代是07年出厂的一款手机，现在早已经停产了，现在市面上的iphone一代机器都是翻新的iphone 一代，一代的iphone有 4G 8G 和16G的。iphone二代，也就是iphone 3G有两种颜色，全黑色的和全白色的，有16G和8G的 iphone是08年生产的。二代有8g和16g黑色，16g白色3种。8g只有黑色，没有白色的。二代跟一代的不同有这么几点：后盖一代是金属，二代是塑料并且弧度更大。二代多3g网络，但是都没有前置摄像头。3g内置gps定位模块。iphone 3GS和iphone一代 二代的区别很明显 iphone 3GS内置指南针功能，也只有黑色和白色两种，容量有16G和32G 从外观来看颜色比3G的颜色光亮点，从性能上讲比一代和二代的iphone速度快，容量更大，三代有16g黑色，16g白色，32g黑色，32g白色。3代没有8g了。3g从外观上和2代没有任何区别。只是在硬件上升级了，这里的s就是speed的意思，就是说速度更快。摄像头也升级到320万。
四季沐歌空气能10P二代机和一代机蒸发器有哪些区别
答：一代机采用的是U型蒸发器：优点是增加单位换热面积，有效的提升制冷制热效率，且节能。制作和安装比较方便，缺点就是不易除霜。二代机采用的是V型蒸发器：采用的二次翻边，多次翻边，V型蒸发器冷媒盘管经高温加热真空干燥作业，腔内无杂质水份存在，采用单、双回流系统，水阻小，热交换性能好，翅片与铜管经机械涨管或超高压液压涨管，确保接触紧密，发挥最佳换热效果除霜效果比U型换热器好，易除霜。
PSP一代和二代，三代有什么区别
1,1000在手感上比2000好的多,区别在于背部突起的部分,2000将此省去,以减轻重量...2,瘦P貌似更省电些3,屏幕方面区别不大,瘦P略大一小点,这个你拿两台一比就知道了4,硬件方面,2000拥有1000 两倍的内存,使得部分模拟器运行起来更流畅...废话一句:3000的内存也是64MB...我..个人推测..以后的PSP游戏可能会利用2000,3000多余的32MB内存..5,瘦P拥有视屏输出功能(还要色差线= =!)对普通玩家无用,要大屏幕的话用USB输到电脑看更方便~6,瘦P有很多种颜色供你选,肥P就少的多7,刷机方面,瘦P,肥P风险相同3000的话,如果你不是游戏画面控的话,就不用等了,3000改进不大,而且还要等3000的主板破解,又要个把月= =3000主要更新:内置麦克风,屏幕的完善(防反光处理,高色调等），手感略微加强。 这里有1 2 3代的区别很清楚的列出来http://www.emu-zone.org/html/handheld/PSP/20080821/25243.html
j6p一代和二代的区别
j6p二代会比一代功能更全面，使用感更好，各有各的好吧，看个人需要，如果想要更好的可以选二代，如果想要实惠点可以考虑一代。
一代和二代的区分问题
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。 DDR内存不向后兼容SDRAM DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。 DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。 高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。 DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令。DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB内存2KB的寻址设置。 DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只有2位。 DDR3的市场导入时间预计为2006年下半，最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。 由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是： 更高的外部数据传输率 更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 在保证性能的同时将能耗进一步降低 为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计： 8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz 采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担 采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。 DDR3与DDR2的不同之处 1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 3、寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 4、新增功能——重置（Reset） 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 5、新增功能——ZQ校准 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 6、参考电压分成两个 对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。 7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature） 为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh） 这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。 9、点对点连接（P2P，Point-to-Point） 这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。 除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了。下面我们来总结一下DDR3与DDR2之间的对比： DDR2与DDR3规格对比，业界认为DDR3-800将被限定于高端应用市场，这有点像当今DDR2-400的待遇，预计DDR3在台式机上将以1066MHz的速度起步 从整体的规格上看，DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大，提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是，就像DDR2和DDR的对比一样，在相同的时钟频率下，DDR2与DDR3的数据带宽是一样的，只不过DDR3的速度提升潜力更大。所以初期我们不用对DDR3抱以多大的期望，就像当初我们对待DDR2一样。当然，在能耗控制方面，DDR3显然要出色得多，因此将可能率先受到移动设备的欢迎，就像最先欢迎DDR2内存的不是台式机，而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也将经历一个慢热的过程
如何区分第一代和第二代酷睿i3 i5 i7处理器
主板和阵脚：1代i7 9xx用x58，lga1366，内存支持三通道i7 8xx和i5 7xx，i5 6xx，i3 5xx，奔腾g6950都是1156，主板有h55（适合内置集显的处理器如i3 i5 6xx），p55二代则全是1155的，主板有h61 h67 p67 z68命名：一代都是三个数字的，二代则全是四个数字的。一代的和二代的低端奔腾系列倒是正好反过来了，如一代的g6950，笔记本的p6200.二代则是g620 g840，b940
A362一代和二代差别
A362一代打羽毛球运动时，双层透气网布，透气性佳，舒适柔软，U-SHAPE楦头给脚趾内外不必要的空隙穿着更舒适，前掌外侧加宽，增加了脚底面积，可以防止脚踝关节外翻，侧面交错型结构让鞋子更稳定。A362二代定义为3级训练鞋。这双鞋穿起来非常舒服鞋底更厚实，致使包裹感更好。用料更实，保护更强。同时鞋子并不重。威克多羽毛球鞋采用高弹性中底材料,耐用性比一般EVA高,不易变形,中底稳定性、缓震性和弹性都不错;鞋底以圆形底花为中心,配合米字步伐,无论是侧向还是纵向,抓地力都大幅度提升。威克多羽毛球鞋推荐：（1）威克多 P9200 TD（2）威克多 A362二代（3）威克多 SOAR（4）威克多 A950LTD（5）威克多 SH-P9200/AB、P9200二代。