长期以来，Qorvo一直是半导体行业的领导者，也是全球公认的创新先锋。
2015年，Qorvo率先发布150nm GaN节点(业界第一)，7年来成为20-40 Ghz频段的技术领导者。将工艺推进到90nm后，Qorvo将能够支持Ka波段以上的应用。在某些情况下，高速节点还可以提高Ka频段及以下的性能。
根据计划，具有先进节点的GaN可用于许多领域，包括雷达、通信和通过W波段(基本上高达100 GHz)的一些用途。这些应用中的许多不能由现有的GaN节点适当地解决。对于具有相似频率范围的商业应用也是如此。
Qorvo是提供5G和其他商业产品的领导者。开发这些产品需要对今天有敏锐的理解美国市场需求以及满足这些需求所需的高级GaN节点和高级互连系统。作为领先的商业供应商，Qorvo在利用晶圆数量推动制造过程控制、促进工艺和可靠性成熟度以及降低整个DIB的成本方面具有独特的优势。
与硅(Si)或砷化镓(GaAs)相比，90纳米GaN节点晶体管支持更高的速度、更大的射频范围、更高的温度稳定性、更高的功率稳定性、更小的尺寸和更好的能效。与GaAs和硅相比，GaN还可以在更高的电压水平下工作。这意味着它可以达到比GaAs或硅晶体管高得多的功率水平。通过GaN技术实现的更高的功率水平允许每个通道具有更高的功率，这使得天线阵列能够以更少的有源元件产生所需的辐射输出功率，从而使阵列尺寸更小，并节省系统其他方面的成本。
过去几年，围绕90nm GaN节点进行了广泛的研发论证。在商业应用中，这个行业的带宽需求几十年来一直在扩大，越来越多的数据以更高的速率传输。随着带宽的增加，对更高频率的需求也增加。支持GaN开发人员满足这些不断增长的需求。
从新兴市场的角度来看，5G和即将到来的6G有望继续推动GaN应用和创新的发展，部分原因是它们的高功率和高频率要求。我们今天熟悉的大多数通信都基于GaN等技术。GaN产品可以提供所需的无线和有线通信，并帮助我们实现卫星、电缆、雷达和蜂窝骨干网，以满足我们的高数据速率要求。它还提供运行物联网、即将上市的自动驾驶汽车和航空应用所需的基础设施。
所以GaN射频的前景越来越光明。
原标题：射频领域，90nm GaN前途无量。
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标签：GaN应用功率