(文章来源：比优传感科技)
霍尔效应原理是以物理学家埃德温霍尔命名的。1879年，他发现当电流沿一个方向流动时，当引入垂直于磁场的导体或半导体时，可以在电流路径的直角处测得电压。
霍尔电压可由V霍尔=OB计算，其中：V哈利=电动势(伏特)；O=灵敏度(伏特/高斯)；B=高斯应用领域；I=偏置电流。这一发现最初用于化学样品的分类。
20世纪50年代，砷化铟半导体化合物的发展导致了第一台有用的霍尔效应磁性仪器。霍尔效应传感器允许测量需要传感器运动的DC或静态磁场。20世纪60年代，硅半导体的普及导致了霍尔元件和集成放大器的首次结合。这导致了经典的数字输出霍尔开关。
霍尔传感器技术的不断发展见证了从单元器件到双正交阵元的发展。这样做是为了最小化霍尔电压端子的偏移。下一个进展是四元件换能器的二次型。这些单元采用四个元件在桥中正交排列的结构。所有这些硅传感器都是用双极结型半导体技术制造的。
切换到CMOS技术允许电路的放大器部分的斩波稳定。这有助于通过降低运算放大器的输入失调误差来减少误差。非斩波稳定电路中的所有误差将导致数字或偏移开关点的误差以及线性输出传感器的增益误差。当代CMOS霍尔传感器还包括通过霍尔元件主动切换电流方向的方案。该方案消除了半导体霍尔元件的典型偏置误差，还主动补偿了温度和应变引起的失调误差。
主动板开关和斩波稳定器的总体效果会将开关点漂移或增益和偏置误差提高一个数量级。Melexis仅使用CMOS技术来获得最佳性能和最小的芯片尺寸。霍尔效应传感器技术的发展主要归功于复杂信号调理的集成。霍尔集成电路电路。最近，Melexis公司推出了世界上第一个可编程线性霍尔集成电路，为未来的技术提供了一瞥。未来的传感器将是可编程的，并有一个集成的微控制器内核，使传感器更加“智能”。它是如何工作的？
如上图所示，有磁场的情况下，霍尔ic开关闭合，没有磁场。地球磁场不会操作霍尔ic开关，但普通冰箱磁铁会提供足够的强度来驱动传感器。（
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